Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2010-185
MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めた<100>Siナノワイヤのバンドギャップ
○吉岡裕典・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大）
pp. 1 - 6
SDM2010-186
X線検出素子（Silicon Drift Detector）用Si基板の高抵抗率化 ～ シミュレーションによる評価 ～
○北野谷征吾・西川誠二・松浦秀治（阪電通大）
pp. 7 - 12
SDM2010-187
イオンチャネリングによるホイスラー合金Fe3-xMnxSi(111)/Ge(111)ヘテロエピタキシャル界面の軸配向性の評価
○中島孝仁・松倉武偉（京大）・鳴海一雅（原子力機構）・前田佳均（京大）
pp. 13 - 17
SDM2010-188
蛍光体粉末の微粒化処理によるZnS無機ELの発光特性の改善
○堀口昌吾・紺谷拓哉・堀田昌宏（奈良先端大）・田口信義（イメージテック）・浦岡行治（奈良先端大/JST）
pp. 19 - 23
SDM2010-189
多結晶シリコン太陽電池の作製における室温レーザードーピング
○長谷川光洋・平田憲司・高山 環・舟谷友宏・冬木 隆（奈良先端大）
pp. 25 - 28
SDM2010-190
結晶系シリコン太陽電池におけるドーパントプレカーサー制御によるレーザードーピングプロセスの最適化
○舟谷友宏・平田憲司・高山 環・長谷川光洋・冬木 隆（奈良先端大）
pp. 29 - 32
SDM2010-191
ナノ構造シリコンへのH2-N2プラズマ処理効果
○渡辺晃次・須田健一・仲田英起・本橋光也（東京電機大）
pp. 33 - 37
SDM2010-192
［招待講演］ReRAMの物性評価と基本メモリ特性の制御
○木下健太郎・依田貴稔・田中隼人・花田明紘・岸田 悟（鳥取大）
pp. 39 - 44
SDM2010-193
真空中での熱処理によるPt/NiO/Pt抵抗変化素子の電気的特性変化
○岩田達哉・西 佑介・木本恒暢（京大）
pp. 45 - 49
SDM2010-194
放電電流過渡分光法を用いた高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価における犠牲酸化処理の効果
○西川誠二・北野谷征吾・松浦秀治（阪電通大）
pp. 51 - 56
SDM2010-195
200keV電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化
○野尻琢慎・西野公三・柳澤英樹・松浦秀治（阪電通大）・小野田 忍・大島 武（原子力機構）
pp. 57 - 62
SDM2010-196
超臨界水で酸化したSiC基板表面とその膜質評価
○佐藤智久（阪大）・二ツ木高志・大江太郎（オルガノ）・小松直佳・木村千春・青木秀充（阪大）
pp. 63 - 67
SDM2010-197
多原子分子イオンビームによるシリコン表面照射効果
○竹内光明・龍頭啓充・高岡義寛（京大）
pp. 69 - 72
SDM2010-198
ホトルミネセンス法およびDLTS法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価
○奥谷真士・高島周平・吉本昌広（京都工繊大）・Woo Sik Yoo（WaferMasters）
pp. 73 - 78
SDM2010-199
ガラス上に形成された大粒径を有する低温poly-Si1-xGex薄膜トランジスタの開発
○岡部泰典・近藤健二（東北学院大）・広瀬研太・鈴木順季・北原邦紀（島根大）・原 明人（東北学院大）
pp. 79 - 82
SDM2010-200
裏面からのレーザー照射による2層同時結晶化LTPS-TFTメモリの特性評価
○松江将博・市川和典・赤松 浩（神戸高専）・山崎浩司・堀田昌宏・浦岡行治（奈良先端大）
pp. 83 - 86
SDM2010-201
Siゲートを持つDNA電界効果トランジスタに関する研究
○高城祥吾・松尾直人・山名一成・部家 彰・高田忠雄（兵庫県立大）・坂本憲児・横山 新（広島大）
pp. 87 - 91
SDM2010-202
Poly-Si TFTによるデバイスレベルのニューラルネットワーク ～ 複数回の学習とAND・OR・EXORの学習 ～
○宮谷友彰・藤田悠佑（龍谷大）・三島大樹（奈良先端大）・谷口 仁・笠川知洋・木村 睦（龍谷大）
pp. 93 - 97
SDM2010-203
高圧水蒸気熱処理によるa-In2Ga2Zn1O7 TFTの特性改善効果
○丸山智己・藤井茉美（奈良先端大）・笠見雅司・矢野公規（出光興産）・堀田昌宏・石河泰明（奈良先端大）・浦岡行治（奈良先端大/JST）
pp. 99 - 102
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．