11月19日(木) 午前  08:55 - 18:25
	08:55-09:00	委員長挨拶　（ 5分 ）
(1)	09:00-09:25	Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長 ED2009-128 CPM2009-102 LQE2009-107	○原　航平・直井美貴・酒井士郎（徳島大）
(2)	09:25-09:50	HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製 ED2009-129 CPM2009-103 LQE2009-108	○佐々木　斉・後藤裕輝・碓井　彰（古河機械金属）
(3)	09:50-10:15	AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性 ED2009-130 CPM2009-104 LQE2009-109	○島原佑樹・武富浩幸・三宅秀人・平松和政（三重大）・福世文嗣・岡田知幸・高岡秀嗣・吉田治正（浜松ホトニクス）
	10:15-10:25	休憩　（ 10分 ）
(4)	10:25-10:50	Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長 ED2009-131 CPM2009-105 LQE2009-110	○神村淳平・岸野克巳・菊池昭彦（上智大/JST）
(5)	10:50-11:15	RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 ～ 配列制御InNナノコラム成長について ～ ED2009-132 CPM2009-106 LQE2009-111	○荒木　努・山口智広・金子昌充（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大）
(6)	11:15-11:40	RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用 ED2009-133 CPM2009-107 LQE2009-112	○山口智広（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大）
(7)	11:40-12:05	AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構 ED2009-134 CPM2009-108 LQE2009-113	○尾沼猛儀・羽豆耕治（東北大）・宗田孝之（早大）・上殿明良（筑波大）・秩父重英（東北大）
	12:05-13:05	昼食　（ 60分 ）
(8)	13:05-13:30	半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光マッピング測定 ED2009-135 CPM2009-109 LQE2009-114	○金田昭男・上田雅也・船戸　充・川上養一（京大）
(9)	13:30-13:55	近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング ED2009-136 CPM2009-110 LQE2009-115	○橋谷　享・金田昭男・船戸　充・川上養一（京大）
(10)	13:55-14:20	ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性 ED2009-137 CPM2009-111 LQE2009-116	○小林　篤・下元一馬・上野耕平・梶間智文・太田実雄（東大）・藤岡　洋・尾嶋正治（東大/JST）
(11)	14:20-14:45	第一原理計算計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究 ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117	○白石賢二・岩田潤一（筑波大/JST）・小幡輝明（筑波大）・押山　淳（東大/JST）
	14:45-14:55	休憩　（ 10分 ）
(12)	14:55-15:20	GaInAs多結晶薄膜の電気的光学的特性 ED2009-139 CPM2009-113 LQE2009-118	○鳥居義親・奥迫拓也・高見慎也・梶川靖友（島根大）
(13)	15:20-15:45	GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析 ED2009-140 CPM2009-114 LQE2009-119	○永田賢昌・飯田大輔・永松謙太郎・竹田健一郎・松原哲也・岩谷素顕・上山　智・天野　浩・赤崎　勇（名城大）
(14)	15:45-16:10	AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード ED2009-141 CPM2009-115 LQE2009-120	○吉田治正・桑原正和・山下陽滋・高木康文・内山和也・菅　博文（浜松ホトニクス）
(15)	16:10-16:35	UVレーザダイオードの動作電圧の低減 ED2009-142 CPM2009-116 LQE2009-121	○市川友紀・竹田健一郎・小木曽裕二・永田賢吾・岩谷素顕・上山　智・天野　浩・赤崎　勇（名城大）・吉田治正・桑原正和・山下陽滋・菅　博文（浜松ホトニクス）
	16:35-16:45	休憩　（ 10分 ）
(16)	16:45-17:10	ショットキー型紫外発光ダイオードを用いたRGB発光素子の製作 ED2009-143 CPM2009-117 LQE2009-122	○本田　徹・野崎　理・坂井直之・野口和之（工学院大）
(17)	17:10-17:35	酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化 ED2009-144 CPM2009-118 LQE2009-123	○永田賢吾・市川友紀・竹田健一郎・永松謙太郎・岩谷素顕・上山　智・天野　浩・赤崎　勇（名城大）
(18)	17:35-18:00	InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて ～ 発光素子から太陽電池への展開 ～ ED2009-145 CPM2009-119 LQE2009-124	○草部一秀・石谷善博・吉川明彦（千葉大）
(19)	18:00-18:25	GaN系表面ナノ構造光検出器 ED2009-146 CPM2009-120 LQE2009-125	○張　晶・直井美貴・酒井士郎（徳島大）・深野敦之・田中　覚（SCIVAX）
11月20日(金) 午前  09:30 - 16:15
(20)	09:30-09:55	周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長 ED2009-147 CPM2009-121 LQE2009-126	○藤田浩平・奥浦一輝・三宅秀人・平松和政（三重大）・乗松　潤・平山秀樹（理研）
(21)	09:55-10:20	4inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長 ED2009-148 CPM2009-122 LQE2009-127	○矢野良樹・池永和正・徳永裕樹（大陽日酸）・山本　淳（大陽日酸イー・エム・シー）・田渕俊也（大陽日酸）・内山康右（大陽日酸イー・エム・シー）・山口　晃・福田　靖・生方映徳（大陽日酸）・原田康博・伴　雄三郎・松本　功（大陽日酸イー・エム・シー）・山崎利明（大陽日酸）
(22)	10:20-10:45	4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価 ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128	○市村幹也・三好実人・田中光浩（日本ガイシ）・江川孝志（名工大）
	10:45-10:55	休憩　（ 10分 ）
(23)	10:55-11:20	MgドープGaN表面特性のアニールによる変化 ED2009-150 CPM2009-124 LQE2009-129	○小川恵理・橋詰　保（北大/JST）
(24)	11:20-11:45	ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析 ED2009-151 CPM2009-125 LQE2009-130	○黒田健太郎・井川裕介・光山健太・敖　金平・大野泰夫（徳島大）
(25)	11:45-12:10	高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位 ED2009-152 CPM2009-126 LQE2009-131	○菅原克也・久保俊晴（北大）・武富浩幸・三宅秀人・平松和政（三重大）・橋詰　保（北大）
	12:10-13:10	（ 60分 ）
(26)	13:10-13:35	Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極 ED2009-153 CPM2009-127 LQE2009-132	○今井章文・南條拓真・吹田宗義・阿部雄次・柳生栄治・藏田哲之（三菱電機）
(27)	13:35-14:00	AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成 ED2009-154 CPM2009-128 LQE2009-133	○渡邊史直（福井大）・矢船憲成（金属系材料研究開発センター/シャープ）・永森　基・近岡大成（福井大）・作野圭一（シャープ）・葛原正明（福井大）
(28)	14:00-14:25	Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化 ED2009-155 CPM2009-129 LQE2009-134	○鈴江隆晃・ローレンス セルバラージ・江川孝志（名工大）
(29)	14:25-14:50	大電流動作GaN MOSFET ED2009-156 CPM2009-130 LQE2009-135	○野村剛彦・神林　宏・佐藤義浩・新山勇樹・加藤禎宏（次世代パワーデバイス技研組合）
	14:50-15:00	休憩　（ 10分 ）
(30)	15:00-15:25	Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性 ED2009-157 CPM2009-131 LQE2009-136	○星　真一・伊藤正紀・丸井俊治・大来英之・森野芳昭・玉井　功・戸田典彦・関　昇平（OKI）・江川孝志（名工大）
(31)	15:25-15:50	マイクロ波無線ユビキタス電源用GaNショットキーダイオードの開発 ED2009-158 CPM2009-132 LQE2009-137	○高橋健介・敖　金平（徳島大）・篠原真毅（京大）・丹羽直幹（鹿島建設）・藤原暉雄（翔エンジニアリング）・大野泰夫（徳島大）
(32)	15:50-16:15	60 GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性 ED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138	○渡邊一世・遠藤　聡・山下良美・広瀬信光（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT）

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
	問合先	村田 浩一（NTT) TEL：046-240-2871、FAX：046-270-2872 E-： aecl 原 直紀 （富士通研究所） TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168 E- : o 津田 邦男（東芝） TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501 E- : oba 須原 理彦（首都大） TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756 E- : t
CPM	電子部品・材料研究会（CPM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	阿部 克也（信州大学） E-: abenshu-u
LQE	レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）   [今後の予定はこちら]
	問合先	橋本順一（住友電気工業株式会社） TEL 045-853-7308, FAX 045-852-2913 E-: -jui
	お知らせ	◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
		◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。

Last modified: 2009-09-28 16:15:49