Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
[TOP] | [2009] | [2010] | [2011] | [2012] | [2013] | [2014] | [2015] | [Japanese] / [English]
LQE2012-93
表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価
○梁 剣波・重川直輝（阪市大）・日暮栄治（東大）
pp. 1 - 5
LQE2012-94
層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発
○小林康之・熊倉一英・赤坂哲也・山本秀樹・牧本俊樹（NTT）
p. 7
LQE2012-95
III-V族窒化物薄膜の太陽電池応用
○角谷正友・Liwen Sang・Mickael Lozac'h（物質・材料研究機構）
pp. 9 - 12
LQE2012-96
GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定
○杉浦洋平・網谷良介・多次見大樹（工学院大）・尾沼猛儀（東京高専）・山口智広・本田 徹（工学院大）
pp. 13 - 15
LQE2012-97
大口径Si基板（6インチ&8インチ）上のAlN、AlGaNの高速成長
○徳永裕樹・生方映徳・矢野良樹・山岡優哉・山口 晃・田渕俊也（大陽日酸）・松本 功（大陽日酸EMC）
pp. 17 - 20
LQE2012-98
GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性
○渡邉則之・横山春喜（NTT）・重川直輝（阪市大）
pp. 21 - 24
LQE2012-99
単結晶β-Ga2O3基板を用いたPt/β-Ga2O3ショットキーバリアダイオード
○佐々木公平（タムラ製作所/NICT）・東脇正高（NICT/JST）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ製作所）
pp. 25 - 28
LQE2012-100
Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価
○常家卓也・分島彰男・江川孝志（名工大）
pp. 29 - 32
LQE2012-101
GaN上にALD成膜したAl2O3を用いたMISダイオードの電気的特性
○岩田康宏・久保俊晴・江川孝志（名工大）
pp. 33 - 36
LQE2012-102
プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響
○堀 祐臣・谷田部然治・馬 万程・橋詰 保（北大）
pp. 37 - 40
LQE2012-103
原子層堆積Al2O3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減
○尾崎史朗・多木俊裕・金村雅仁・今田忠紘・中村哲一・岡本直哉・宮島豊生・吉川俊英（富士通研）
pp. 41 - 44
LQE2012-104
Effect of Passivation on Drain Current Dispersion for AlGaN/GaN HEMTs
○Md. Tanvir Hasan・Hirokuni Tokuda・Masaaki Kuzuhara（Univ. of Fukui）
pp. 45 - 50
LQE2012-105
非極性GaN基板上への選択MOVPE成長
○神野大樹・岡田俊祐・三宅秀人・平松和政（三重大）・江夏悠貴・長尾 哲（三菱化学）
pp. 51 - 54
LQE2012-106
DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長
○荒木 努・上松 尚・阪口順一・王 科（立命館大）・山口智広（工学院大）・Euijoon Yoon（ソウル国立大）・名西やす之（立命館大）
pp. 55 - 58
LQE2012-107
ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製
○森田隆敏・加賀 充・桑野侑香・松井健城・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）
pp. 59 - 64
LQE2012-108
Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製
○大谷龍輝・関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大）
pp. 65 - 70
LQE2012-109
Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates
○Yoon Seok Kim（Kyout Univ.）・Akio Kaneta・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.）・Takashi Miyoshi・Shin-ichi Nagahama（Nichia）
pp. 71 - 74
LQE2012-110
サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用
○土屋貴義・梅田慎也・曽和美保子（名城大）・近藤俊行・北野 司・森 みどり・鈴木敦志・難波江宏一・関根 均（エルシード）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大）
pp. 75 - 80
LQE2012-111
n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化
○桑野侑香・加賀 充・森田隆敏・山下浩司・南川大智・竹内哲也・岩谷素顕・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）
pp. 81 - 85
LQE2012-112
AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み
○富田優志（埼玉大）・平山秀樹・藤川紗千恵（理研）・水澤克哉・豊田史朗・鎌田憲彦（埼玉大）
pp. 87 - 92
LQE2012-113
減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用
○落合俊介・高木麻有奈（三重大）・福世文嗣（三重大/浜松ホトニクス）・三宅秀人・平松和政（三重大）・小林祐二・吉田治正（浜松ホトニクス）
pp. 93 - 96
LQE2012-114
ウルツ鉱構造InGaNのバンド構造とオージェ再結合の解析
○波多腰玄一・布上真也（東芝）
pp. 97 - 101
LQE2012-115
InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響
○今井大地・石谷善博（千葉大）・王 新強（北京大物理学院）・草部一秀・吉川明彦（千葉大）
pp. 103 - 108
LQE2012-116
近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成
○河口研一・中田義昭・江川 満・山本剛之（富士通研）・荒川泰彦（東大）
pp. 109 - 112
LQE2012-117
Inフラッシュ法を用いた1ミクロン帯広帯域発光InAs量子ドットの作製と医療イメージングへの応用検討
○日野雄司・尾崎信彦（和歌山大）・大河内俊介（NEC）・池田直樹・杉本喜正（物質・材料研究機構）
pp. 113 - 116
LQE2012-118
AlGaAs系フォトニック結晶構造作製に向けたICPドライエッチングマスクに関する研究
○栂野裕二・北林佑太・石川史太郎・近藤正彦（阪大）
pp. 117 - 120
LQE2012-119
モノリシック光源に向けたゲルマニウム発光素子の研究
○谷 和樹・斎藤慎一・小田克矢（光電子融合基盤技研）・奥村忠嗣・峰 利之（日立）・井戸立身（光電子融合基盤技研）
pp. 121 - 124
LQE2012-120
光スペクトル制御回路の設計と位相誤差補償による波長特性平坦化
○池田達彦（慶大）・水野隆之・高橋 浩（NTT）・浅倉秀明・津田裕之（慶大）
pp. 125 - 129
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．